18 Decembrie 2007 , 11:46 in CorporateNews

Conform ziare.ro, cei de la Fujitsu au dezvoltat memoria ReRAM, cunoscuta si sub numele de memorie RAM rezistiva, functionarea sa bazandu-se pe proprietatile unor materiale de a-si schimba rezistenta
electrica in prezenta unei diferente de potential.

In urma lucrarilor efectuate in laboratoarele Fujitsu, au devenit posibile stergeri ale memoriei cu un curent de doar 100
microamperi intr-un timp de 5 nanosecunde, ceea ce reprezinta o
crestere a vitezei de functionare de 10.000 de ori.

Hardware,it&c,Fujitsu,ReRAM,

Citeste articolul integral pe Ziare.ro



Te-ar putea interesa si:

Vrei sa fii la curent cu cele mai importante stiri?
Urmareste-ne si pe Facebook
Iti place acest articol? Recomanda-l prietenilor:
Facebook Twitter

Aboneaza-te la 9AM sau conecteaza-te prin Facebook pentru a primi periodic articole similare.
In lipsa unui acord scris din partea Internet Corp, puteti prelua maxim 500 de caractere din acest articol daca precizati sursa si daca inserati vizibil linkul articolului Fujitsu lanseaza memoria ReRAM.